Ecosemitek ESK200SH120K IGBT Modülü – 200A 1250V Güç Elektroniği

Ecosemitek ESK200SH120K IGBT modülü, 200A akım kapasitesi ve 1250V voltaj dayanımı ile yüksek güçlü elektronik devrelerde verimli anahtarlama performansı sağlar. UPS, inverter, kaynak makineleri, endüstriyel güç sistemleri ve otomotiv uygulamalarında güvenilir kullanım sunar. Kompakt tasarımı ve yüksek verimliliği sayesinde enerji tasarrufu ve uzun ömürlü çalışma imkânı verir.

NOT: Ürün 1 adet olarak gönderilmektedir.

TEKNİK ÖZELLİKLER – ECOSEMITEK ESK200SH120K IGBT MODÜLÜ

Mutlak Maksimum Değerler (Tj=25°C)

• Kolektör-Emiter Voltaj (VCES): 1250 V

• Gate-Emiter Tepe Voltaj (VGES): ±20 V

• DC Kolektör Akımı (IC): 400 A (25°C) / 200 A (100°C)

• Tekrarlayan Tepe Kolektör Akımı (ICM): 400 A (1 ms)

• Diyot Sürekli İleri Akımı (IF): 200 A (100°C)

• Diyot Tepe İleri Akımı (IFM): 400 A

• Çalışma Sıcaklığı (Tj): –40 ~ 150°C

• Depolama Sıcaklığı (Tstg): –40 ~ 150°C

• İzolasyon Test Voltajı (VISO): 2.5 kV (60Hz, 1 dk)

• Montaj Torku: M6 vidalar için 3.0 ~ 6.0 N·m

IGBT Elektriksel Özellikler (Tj=25°C)

• C-E Kırılma Voltajı (BVCES): 1250 V

• Gate-Emiter Eşik Voltajı (VGE(th)): 4.8 – 6.8 V

• Kolektör-Emiter Doyum Voltajı (VCE(sat)): 2.2 – 2.6 V (200A, 25°C) / 2.7 V (200A, 125°C)

• İç Gate Direnci (RGint): 2.5 Ω

• Giriş Kapasitansı (Cies): 5200 pF

• Çıkış Kapasitansı (Coes): 730 pF

• Ters Transfer Kapasitansı (Cres): 220 pF

• Anahtarlama Süreleri:

  • Turn-on Delay: 145 ns (25°C) / 160 ns (125°C)

  • Rise Time: 135 ns (25°C) / 150 ns (125°C)

  • Turn-off Delay: 800 ns (25°C) / 850 ns (125°C)

  • Fall Time: 70 ns (25°C) / 80 ns (125°C)

• Enerji Kayıpları:

  • Turn-on (Eon): 35 mJ

  • Turn-off (Eoff): 10–12 mJ

• Kısa Devre Dayanımı: 10 µs @ Tc=100°C

• Toplam Gate Yükü (Qg): 1240 nC

FRD (Diyot) Özellikleri

• İleri Voltaj (VFM): 2.4 – 2.8 V (200A, 25°C) / 2.6 V (200A, 125°C)

• Ters Kurtarma Süresi (trr): 140 ns (25°C) / 170 ns (125°C)

• Ters Kurtarma Akımı (Irr): 120 A (25°C) / 135 A (125°C)

• Ters Kurtarma Yükü (Qrr): 22 µC (25°C) / 28 µC (125°C)

Termal Özellikler

• RθJC (IGBT): 0.11 °C/W

• RθJC (Diyot): 0.32 °C/W

• RθCK (IGBT, gresli montaj): 0.05 °C/W

• Ağırlık: 300 g

Öne Çıkan Özellikler

• Düşük VCE(sat)

• 1250V dayanım

• Hızlı & Yumuşak Anti-paralel Diyot

• Kısa devre dayanımı (10 µs)

• EMI/RFI azaltılmış tasarım

• İzole paket yapısı